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TMI4031B

3 节锂电池保护芯片

产品详细信息

特性
说明

·内置高精度电压检测电路: 

 过充电检测电压 

  VOV=3.650V - 4.400V (档位 50mV)  

  精度:±25mV  

 过充电滞后电压: 

  VOVR= VOV - VΔOV(0-200mV,档位 100mV) 

  精度:±50mV  

 过放电检测电压 

  VUV=2.200V-3.000V (档位 100mV)  

  精度:±100mV  

 过放电滞后电压: 

  VUVR=   VUV- VΔUV(0-500mV,档 位100mV) 

·内置三段放电过流检测电路:

 放电过流 1 检测电压: 

  VDOC1:50mV -100mV (档位 50mV) 

  精度:±12.5mV 

 放电过流2检测电压: 

  VDOC2: 2×VDOC1,精度:±25mV  

 负载短路检测电压: 

  VSC4×VDOC1精度±25mV 

·充电过流检测电路 

  VCOC25mV - 50mV (档位 25mV) 精度:±10mV 

·低消耗电流 

 工作状态:10μA 

  休眠状态:<3μA


TMI4031是一款专为保护3串锂离子/聚合物电池的 保护芯片,可降低因电池过充、过放、过温或过流而 导致的电池损坏或寿命缩短的风险。 TMI4031 超小型 SOP8 封装和最少的外部元器件需 求使芯片易于整合至有限的电池包里。

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