BOOT（自举）电路中加电阻目的是改善上管导通时刻的SW震荡

IM5200可以符合客户给4串的超级电容充电的应用。

一是肖特基二极管导通电压更低。二是肖特基二极管速度更快，反向恢复时间更小。

PSRR 即电源纹波抑制比，是输入电源变化量（以伏为单位）与转换器输出变化量（以伏为单位）的比值。它规定了特定频率的交流元件从 LDO 输入衰减到输出的程度。衰减程度越高，以分贝表示的 PSRR 值将越大。影响因素见下图：

对于输入输出电容，建议使用X5R或X7R陶瓷电容作为输入和输出电容。

X7R材质ESR变化更小，容值变化更小。

Buck的损耗主要由两部分组成：开关损耗和导通损耗。 轻载时开关损耗为主要损耗来源，随着负载的增加，开关损耗占比越来越小，因此前半段效率会越来越高。当负载增加到一定程度后，导通损耗为主要损耗来源，且导通损耗与负载电流的平方成正比，在效率曲线的后半段，导通损耗占比越来越高且增长很快，因此后半段效率呈下降趋势

插拔式上电会在上电的瞬间可能出现高电压，烧坏芯片。

解决办法：前端加一个电解电容，或者串联一些小电阻，或者加一个TVS。

可总结为以下几种可能原因：

1. RS2/RS1走线是否是等长、等宽的差分走线；

2. RS1是否单独走线到采样电阻；如果RS1经1K滤波电阻后，直接连接到GND网 络，未单独走线至采样电阻焊盘处，会导致过流保护值误差较大；

3. RS2/RS1走线尽量连接到采样电阻的中心点位置。

可总结为以下几种可能原因：

1. TS管脚外NTC没有贴，芯片会响应充电低温保护；

2. 触发了温度保护；

3. 电芯电压低于均衡开启电压；

4. 均衡电路中的元器件异常，或者焊接不良。

可总结为以下几种可能原因：

1. 如果充电电流和充电器电压相对较大，导致电芯电压高于过充电保护阈值后，由于电压较虚，很快又跌落到过充电恢复阈值以下，过充电保护解除，又开始充电；

2. 电芯电压一致性差。如果某节电芯电压相对偏高，该节电芯在充电时会先触发过充电保护，充电MOS关闭后，由于电压较虚，很快又跌落到过充电恢复阈值以下，过充 电保护解除，又开始充电；

3. 充电电流大于充电过流保护值，同时CHSE管脚由于连接异常不能正常检测到充电 器存在，导致充电过流保护后不能被充电器锁定；

4. 充电MOS(或者放电MOS)的GS之间电阻错帖为KΩ级别，导致CHG(或者DSG) 输出

高电平时，芯片功耗比较大，触发芯片欠压保护。CHG/DSG关闭后，芯片功耗 降低，由于充电器连接，欠压保护又立即释放，如此反复；

5. 放电MOS损坏，其GS之间等效阻抗变小，在DSG输出高电平时，芯片功耗比较 大，触发芯片欠压保护。 一旦DSG关闭后，芯片功耗降低，由于充电器连接，欠压 保护又立即释放，如此反复。