Boot电容即自举（Bootstrap）电容，利用了电容两端的电压差不能突变的原理。当提高电容负端的电压时，正端的电压也会随之被抬高，压差始终保持不变。

以此TMI3252以及TMI3253系列产品为例，芯片内部的MOSFET为N沟道的MOSFET，N沟道的MOSFET开通电压VGS要大于某一阈值，结合DC/DC的拓扑结构，是通过SW开关脚给自举电容充放电，使自举电容中存在的能量应能满足整个MOSFET关断时提供的能量以及为下一启动瞬间提供能量。

对于TMI6050U分压电阻的选取，第一点应从芯片的功耗考虑，用电阻进行分压会消耗一定的电流，所以在保证电路正常工作的前提下，应选取电阻大一些；第二点应该从Vref来考虑，Vref在TMI6050U中为提供参考电压，电流能力并不是很大，所以为了保证精度，不建议接入较大负荷，分压电阻的选取有很多因素影响，但在TMI6050U中上述两点比较重要，所以我们规格书内含有建议使用的分压电阻量级，如过特别需要改变量级，可在对上述两点影响较小的情况下选取合适电阻。

COT架构，开关频率是由内部脉宽调制电路控制，不是通过内部时钟；对于FPWM产品，工作在的CCM工作模式下，其工作频率相对固定的，不随负载变化；而内部ontime调节并不是完全线性的，开关频率会随占空比和ontime改变有轻微变化；

首先该状态下正常应该是触发OTP保护功能。发生的原因:当OTP温度点过高，在高温下可能内阻值先发生变化，导致先触发OCP，retry时间内散热，后续均不会出现OTP保护；OTP温度点较低的话，更易触发OTP保护内阻值收到的影响更小，热保护会及时进行保护。改善措施:OTP模块位置合理放置；降低OTP点；提高OCP点。

米勒电容在开启过程中会抢占Cgs的充电电流，使得gate端电压不能继续上升，产生米勒平台，导致开通损耗增加；mos关断时，同理。

加入的电容为自举电容。因为STI3470采用N+N结构，在BS-SW端加入的电容为上管驱动端提供能量，用来控制上管的开关。

TVS二极管在线路板上与被保护线路并联，当瞬间电压超过正常工作电压后，TVS二极管便产生雪崩，提供给瞬时电流一个超低电阻通路，瞬时电流通过TVS二极管流过，避开被保护元件。

可以通过在TMI8360SP的GND引脚串联采样电阻的方式采样电流，再通过流过电机的电流大小来判断电机是否处于堵转状态。

目前，44118太阳成城集团的霍尔产品主要包含四大类：单极型，双极型，全极型以及低功耗霍尔器件，单极型霍尔器件对单一磁极生效，靠近时输出高电平，远离时输出低电平；双极型霍尔为锁存型器件，单磁场靠近时输出高电平，直至另一磁极靠近时转换为低电平输出，全极型霍尔不区分N/S极，磁极靠近即输出高电平；此外单极型和全极型霍尔均有低功耗产品，针对锂电池供电产品，如TWS耳机等智能穿戴类产品进行优化设计，保证性能的同时减少器件功耗。

TMI8548产品可以直接驱动五线四相电机，由于TMI8549产品在设计时为了减少客户的I/O口资源，增加了两组内部的反相器电路，因此可能存在部分五线四相电机无法驱动的情况，如需使用请联系太阳成城集团技术人员。